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產品信息: 名稱:錳離子插層MXene NB2CTx 官能團:-OH-F-O-Cl(可定制) 尺寸:1-5um 純度: 99% 儲存條件:低溫干燥密封務必惰性氣氛中保存 工藝:HF處理或HCl+LiF處理 在Ti3C2Tx中引入高導電性的錳離子以制備一種高性能電磁屏蔽材料。文中探討了Ti3C2Tx的陽離子插層機理,錳離子傾向于與界面含氧末端成鍵,以Mn 3d和O 2p的軌道雜化的方式結合。陽離子插層可以擴大層間距,提升Ti3C2Tx的電導率。Ti3C2Tx中引入高導電性的錳離子后,制備的MSCs表現優異的儲能能力和突出的電磁干擾屏蔽效率
上一款: 沒有了...
下一款: 多層Ti3C2 MXene原位負載納米銀